Rozdzielczość pamięci nie wiąże się z IQ
30 listopada 2010, 11:30Jedna osoba jest w stanie zapamiętać, choć niedokładnie, 4 elementy z 10, podczas gdy inna tylko dwa, ale za to drobiazgowo. Nic więc dziwnego, że psycholodzy od dawna zastanawiali się, czy lepsza rozdzielczość wspomnień przekłada się na wyższy iloraz inteligencji. Najnowsze studium doktoranta Keisuke Fukudy z University of Oregon wskazuje na to, że nie.
Różne atomy dają lepszą kontrolę
17 grudnia 2015, 12:36Teraz naukowcy wpadli na pomysł prostego systemu korekcji błędów kwantowych. Proponują, by splątać ze sobą dwa różne atomy, więc przypadkowa manipulacja jednym z nich nie wpłynie na drugi
Intel pokaże pamięci PRAM
16 kwietnia 2007, 10:10Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF).
Najmniejsze urządzenie do przechowywania danych. Bazuje na atomristorze
7 grudnia 2020, 10:19Inżynierowie w University of Texas at Austin stworzyli najmniejsze w dziejach urządzenie do przechowywania danych. Profesor Deji Akiwande i jego zespół opierali się na opisywanych już przez nas badaniach, w czasie których powstał atomistor, najcieńsze urządzenie do składowania danych. Teraz naukowcy poczynili krok naprzód zmniejszając przekrój swojego urządzenie do zaledwie 1 nm2.
Atomowa pamięć z Utah
20 grudnia 2010, 13:14Naukowcy z University of Utah stworzyli najprawdopodobniej najmniejszy w historii układ pamięci. Przez 112 sekund przechowywali dane w jądrze atomu, wykorzystując do tego celu spin. Później odczytali te informacje. Badania takie w przyszłości posłużą do stworzenia szybkich układów pamięci zarówno dla komputerów konwencjonalnych jak i dla maszyn kwantowych.
Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa
17 maja 2016, 12:00Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.
Początek sprzedaży układów DDR3
27 kwietnia 2007, 10:45Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody.
Samsung przedstawia napęd SSD dla Windows Visty
26 lipca 2006, 13:41Samsung przygotował na potrzeby systemu Windows Vista pamięci masowe typu SSD (solid state disk) o pojemności 4 gigabajtów. Tego typu urządzenia będą wykorzystywane równolegle z tradycyjnymi dyskami twardymi. SSD Samsunga zostało zbudowane z szybkich pamięci flash typu NAND. Ich zastosowanie pozwoli na zwiększenie wydajności całego systemu dzięki przyspieszeniu operacji wejścia/wyjścia w Windows Vista.
iPhone znowu złamany
12 lutego 2008, 16:50Nastoletni hacker George Hotz, znany jako Geohot, złamał zabezpieczenia najnowszego firmware’u iPhone’a. Nad ich pokonaniem od tygodni trudzili się liczni hackerzy. Teraz, dzięki Hotzowi, użytkownicy apple’owskiego telefonu będą mogli korzystać z niego w dowolnej sieci telefonicznej.
Molekuły POM przyszłością pamięci flash?
21 listopada 2014, 13:26Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.
