Intel pokaże pamięci PRAM
16 kwietnia 2007, 10:10Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF).
Najmniejsze urządzenie do przechowywania danych. Bazuje na atomristorze
7 grudnia 2020, 10:19Inżynierowie w University of Texas at Austin stworzyli najmniejsze w dziejach urządzenie do przechowywania danych. Profesor Deji Akiwande i jego zespół opierali się na opisywanych już przez nas badaniach, w czasie których powstał atomistor, najcieńsze urządzenie do składowania danych. Teraz naukowcy poczynili krok naprzód zmniejszając przekrój swojego urządzenie do zaledwie 1 nm2.
Atomowa pamięć z Utah
20 grudnia 2010, 13:14Naukowcy z University of Utah stworzyli najprawdopodobniej najmniejszy w historii układ pamięci. Przez 112 sekund przechowywali dane w jądrze atomu, wykorzystując do tego celu spin. Później odczytali te informacje. Badania takie w przyszłości posłużą do stworzenia szybkich układów pamięci zarówno dla komputerów konwencjonalnych jak i dla maszyn kwantowych.
Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa
17 maja 2016, 12:00Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.
Początek sprzedaży układów DDR3
27 kwietnia 2007, 10:45Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody.
IBM pokazał prototyp rewolucyjnego układu pamięci
6 grudnia 2011, 06:00Podczas IEEE International Electron Devices Meeting IBM zaprezentował pamięć typu racetrack. Została ona wykonana za pomocą standardowych metod produkcyjnych.
Pamięć z węglowych nanorurek gotowa do rynkowego debiutu
2 września 2016, 08:43Po ponad 15 latach prac badawczo-rozwojowych firmach Nantero ogłosiła, że pamięci NRAM CNT (carbon nanotubes) są gotowe do produkcji i mogą być używane w układach typu system-on-a-chip (SoC). Prace nad tego typu pamięciami rozpoczęły się w 2001 roku, a celem Nantero było stworzenie nieulotnych układów NRAM wykorzystujących węglowe nanorurki.
Samsung przedstawia napęd SSD dla Windows Visty
26 lipca 2006, 13:41Samsung przygotował na potrzeby systemu Windows Vista pamięci masowe typu SSD (solid state disk) o pojemności 4 gigabajtów. Tego typu urządzenia będą wykorzystywane równolegle z tradycyjnymi dyskami twardymi. SSD Samsunga zostało zbudowane z szybkich pamięci flash typu NAND. Ich zastosowanie pozwoli na zwiększenie wydajności całego systemu dzięki przyspieszeniu operacji wejścia/wyjścia w Windows Vista.
Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
